Elettronica

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Copertina

Indice

[modifica] Introduzione

[modifica] Richiami di teoria dei segnali

Si dice segnale una qualunque grandezza fisica che vari nel tempo. Un tale segnale può essere di vari tipi: possono essere infatti digitali o analogici. In questo corso si affronteranno i segnali analogici, e soprattutto le elaborazioni di questi.

Per elaborare in maniera utile un segnale si possono utilizzare i cosiddetti blocchi lineari. Questi hanno due fondamentali caratteristiche:

  • La Linearità, ovvero la caratteristica in base alla quale F(KSi) = KF(Si)
  • La non deformazione, ovvero la capacità di non modificare in modulo il segnale (a meno che non si voglia cambiare le caratteristiche del sistema, ovviamente).

[modifica] Blocchi lineari

[modifica] Blocchi non lineari

[modifica] Applicazione elettrotecnica

Una rete di componenti lineari è una rete lineare. Questo è molto importante, soprattutto considerando quali possono essere componenti lineari più o meno reali. Tipicamente i componenti elettronici sono bipoli lineari.

  • Resistenza - V(t)=R \cdot i(t)
  • Induttanza - V(t)=L \frac{di(t)}{dt}
  • Capacità - i(t)=C \frac {dv(t)}{dt}
  • Generatori controllati:
...comandati in
tensione VC
... comandati dalla
corrente iC
Generatori ideali
di tensione
V=A_v \cdot V_C
con Av= guadagno in tensione
V=T_Z \cdot i_C
con TZ= Transimpedenza
Generatori ideali
di corrente
i=T_y \cdot V_C
con Ty= transammettenza
i=A_i \cdot i_C
con Ai= guadagno di corrente

Questi bipoli possono essere composti in reti. Ogni punto di contatto fra due o più poli è detto nodo. In genere i nodi più utili ai fini del calcolo sono i nodi dove si incontrano almeno tre bipoli. Ogni via per passare da un nodo ad un altro, viene detta ramo. Ogni sequenza chiusa da rami è detta maglia.

[modifica] Leggi di Kirchhoff

  • KCL : In un nodo qualsiasi vale \sum i_i = 0 ovvero la somma delle correnti entranti in un nodo e' uguale a zero
  • KVL : In una qualsiasi maglia vale \sum V_i =0 ovvero la somma delle tensioni ai capi di una maglia e' uguale a zero

[modifica] Serie e parallelo

[[[Immagine]]] Nel caso in cui due o più bipoli abbiano in comune entrambi i capi, ovvero sono in parallelo, si ha che la resistenza equivalente è pari a \frac {1}{Z_{EQ}}=\frac {1}{Z_1}+\frac {1}{Z_2} ovvero Z_{EQ}=\frac {Z_1 * Z_2}{Z_1+Z_2}.

Se, al contrario i due bipoli hanno in comune un solo capo, ovvero sono in serie, si ha che ZEQ = Z1 + Z2

[modifica] Thevenin e Norton

Qualsiasi circuito può essere trasformato in un circuito equivalente, se osservato da una porta, in base a due teoremi:

  • Teorema di Thevenin: il circuito equivalente è composto da un generatore di tensione non controllato posto in serie ad un'impedenza.
  • Teorema di Norton: il circuito equivalente è composto da un generatore di corrente non controllato posto in parallelo ad una impedenza.


[modifica] Richiami di Controlli Automatici

Per semplificare i calcoli con le leggi di Kirchhoff può essere utile, quando si utilizzano componenti con caratteristiche non lineari, usare la trasformata di Laplace della specifica funzione costitutiva del componente. Questo fa sì che i calcoli avvengano su pochi oggetti complessi invece che su molte parti semplici. Un qualsiasi circuio è rappresentato dalla sua funzione di trasferimento. Una F.d.T. ha la struttura H(s) = \frac {N(s)}{D(s)} Questa permette di analizzare il sistema di controllo dando una valutazione sulla stabilità basata sugli zeri del denominatore. Perciò, come in Controlli Automatici, abbiamo tre casi:

  1. stabilità asintotica, se tutti gli zeri del denominatore hanno parte reale negativa.
  2. stabilità semplice, se un solo zero del denominatore ha parte reale nulla e tutti gli altri sono negativi.
  3. instabilità, se più di uno zero del denominatore ha parte reale nulla o almeno uno di questi ha parte reale positiva.

In generale, quindi si potranno usare le regole dell'elettrotecnica classica applicando le trasformate di Laplace (che in elettrotecnica erano state chiamate trasformate di Steimetz delle singole funzioni caratteristiche) dei singoli componenti in modo da comporli per ottenere reti.

[modifica] Parte I

[modifica] Diodi

Un diodo è un componente elettronico non lineare che permette il passaggio unidirezionale della corrente.

I due estremi si chiamano anodo e catodo e corrispondono rispettivamente al punto di ingresso e di uscita della corrente.

Questa può essere calcolata in base all'equazione del diodo ideale di Shockley:

I_D=I_s \left( {e^{qV_D \over nkT}-1} \right)

con

  • ID intensità di corrente sul diodo;
  • VD differenza di potenziale tra i due terminali;
  • I0 intensità di corrente di saturazione, un fattore proporzionale che dipende dalle caratteristiche costruttive del diodo, direttamente proporzionale alla superficie della giunzione p-n, assumente quindi valori variabili tra i 10-10, quando le dimensioni del diodo sono grandi, ed i 10-15, quando le dimensioni del diodo sono piccole;
  • q carica elementare di 1 elettrone;
  • k Costante di Boltzmann;
  • T temperatura assoluta sulla superficie di giunzione tra la zone p ed n misurata in Kelvin;
  • n coefficiente di emissione, anch'esso dipendente dal processo di fabbricazione e spesso omesso perché approssimato a 1 (ma che potrebbe ipoteticamente variare fino a 2).

Da quest'equazione si ricava il grafico del comportamento reale del Diodo sottoposto a stimoli esterni: Immagine:Caratteristicadiodoreale.png

[modifica] Diodo a soglia ideale

[modifica] Diodo a soglia reale

[modifica] Linearizzazione

Le leggi e le regole finora esposte valgono solo per componenti Lineari. Quando un componente non è lineare le cose si fanno più complesse. Solo alcuni compromessi permettono di studiare contemporaneamente i vari tipi di componenti. Il compromesso fondamentale è il cosiddetto "regime dei piccoli segnali". Questo significa che per piccole variazioni del segnale i componenti si comportano in modo lineare. L'unico modo analitico per farlo è utilizzando la derivata, che in base alla sua definizione viene definita valida in piccoli intervalli attorno al punto desiderato. In particolare, visto che l'approssimazione scala sempre di un grado alla volta, in caso di componenti non lineari di altri gradi, e comunque in generale, è bene fare lo sviluppo in serie di taylor al primo grado.

[modifica] Doppio bipolo

Quasi tutti i sistemi che si affronteranno nel corso e comunque quasi tutti i sistemi reali non banali hanno una struttura che associa ad un voltaggio in ingresso uno o più voltaggi in uscita. Il caso generico più diffuso è composto da un voltaggio in ingresso ed un voltaggio in uscita (detti in genere Vin e Vout). Questo tipo di struttura è detta doppio bipolo. In realtà, in ogni caso, non ci sono da considerare solo i voltaggi, ma anche le due correnti: Iin e Iout. Per costruire un legame matematico fra gli elementi si possono supporre valide le seguenti formule:

Iin = yiVi + yrVo
Iout = yfVi + yoVo

ovvero, da un punto di vista matriciale

\begin{bmatrix}
I_i\\
I_o
\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}
y_i & y_r\\
y_f & y_o
\end{bmatrix}\begin{bmatrix}
V_i\\
V_o
\end{bmatrix}

con ogni y appartenente a \overline{\overline{Y}} matrice delle ammettenze

Si osserva che yr dovrebbe essere il più possibile vicina a zero, in quanto non è bene che il carico a valle vada a influire sul sistema generatore a monte

[modifica] Funzioni di Rete

Vista la struttura di un generico doppio bipolo, possiamo cercare di comprendere alcune caratteristiche del sistema stesso in funzione di come agisce sugli ingressi e sulle uscite. [[[Immagine]]]

Innanzitutto definiamo le caratteristiche:

  • Av è detto guadagno di tensione
  • Ai è detto guadagno di corrente
  • Zi è detto Impedenza equivalente all'ingresso
  • Zo è detto impedenza equivalente all'uscita

Poiché queste ultime due definizioni dipendono da trasformazioni di Norton o Thevenin, possiamo ricavare anche altri due valori:

  • Vuca è detto Tensione equivalente a corrente alternata, calcolata all'interno del bipolo secondo Thevenin
  • Iucc è detto Corrente equivalente a corrente continua, calcolata all'interno del bipolo secondo Norton

Queste sono le relazioni che intercorrono fra i vari elementi

\overline{z} \overline{y} \overline{h}
\overline{A_c} \frac{\overline{z}_f\overline{Z}_c}{\overline{D}_z+\overline{z}_i\overline{Z}_c} - \frac{\overline{y}_f}{\overline{y}_o+\overline{Y}_c} - \frac{\overline{h}_f}{\overline{D}_h+\overline{h}_i\overline{Y}_c}
\overline{A_i} - \frac{\overline{z}_f}{\overline{z}_o+\overline{Z}_c} \frac{\overline{y}_f\overline{Y}_c}{\overline{D}_y+\overline{y}_i\overline{Y}_c} \frac{\overline{h}_f}{1+\overline{h}_o\overline{Z}_c}
\overline{Z_i} ovvero \overline{Y_i}=\frac{1}{\overline{Z_i}} \overline{Z}_i=\overline{z_i}-\frac{\overline{z_r}\overline{z_f}}{\overline{z_o}+\overline{Z_c}} \overline{Y}_i=\overline{y_i}-\frac{\overline{y_r}\overline{y_f}}{\overline{y_o}+\overline{Y_c}} \overline{Z_i}=\overline{h_i}-\frac{\overline{h_r}\overline{h_f}}{\overline{h_o}+\overline{Y_c}}
\overline{Z_o} ovvero \overline{Y_o}=\frac{1}{\overline{Z_o}} \overline{Z}_o=\overline{z}_o-\frac{\overline{z}_r\overline{z}_f}{\overline{z}_i+\overline{Z}_g} \overline{Y_o}=\overline{y}_o-\frac{\overline{y}_r\overline{y}_f}{\overline{y}_i+\overline{Y}_g} \overline{Y_o}=\overline{h}_o-\frac{\overline{h}_r\overline{h}_f}{\overline{h}_i+\overline{Z}_g}
\frac{\overline{V_{uca}}}{\overline{V_g}} \frac{\overline{z_f}}{\overline{z_i}+\overline{Z_g}} - \frac{\overline{y_f}}{\overline{D_y}\overline{Z_g}+\overline{y_o}} - \frac {\overline{h_f}}{\overline{D_h}+\overline{h_o}\overline{Z_g}}
\frac{\overline{I_ucc}}{I_g} -\frac{\overline{z_f}}{\overline{D_z}\overline{Y_g}+\overline{z_o}} \frac {\overline{y_f}}{\overline{y_i}+\overline{Y_g}} \frac{\overline{h_f}}{\overline{h_i}\overline{Y_g}+1}

[modifica] Transistor

Un transistor è un dispositivo a stato solido formato da semiconduttori. In questo corso non si affronterà la struttura interna di un transistor, ma solo gli effetti che la sua presenza provoca in una rete elettrica. Un transistor è composto di tre parti fondamentali: una Base, un Collettore e un Emettitore. [[[immagine]]] In una rappresentazione fisicamente più facilmente analizzabile, detta di Ebers-Moll, il transistor viene assimilato a due Diodi in parallelo. [[[Immagine]]]

Le correnti all'interno del transistor sono, in generale,

I_B=I_s\frac{X_{be}}{\beta_f}+I_s\frac{X_{bc}}{\beta_r}
I_C=I_t-I_s\frac{X_{bc}}{\beta_r}
I_E=I_t+I_s\frac{X_{be}}{\beta_f}

con

It = Is(Xbe - Xbc)
X_{\alpha\beta}=e^{\frac{V_{\alpha\beta}}{V_T}}-1

Questo può variare però in funzione di come sono le tensioni all'interno del transistore.

[modifica] OFF

In questo stato tutte le tensioni relative alla base sono nulle. In particolare, se si ha

Vbe < Vγbe
Vbc < Vγbc

si ricava che

IE = IB = IC = I = 0

poiché le tensioni ai capi dei dipodi sono insufficienti per causare il passaggio della corrente.

[modifica] Regione Normale Diretta

Nellal Regione Normale Diretta solo il diodo inferiore è attivo, ovvero si ha che

Vbe > Vγbe
Vbc < Vγbc ==> Xbc = 0

da cui si ricavano le equazioni relative alle correnti

I_B=I_s\frac{X_{be}}{\beta_f}
IC = IsXbe
I_E=I_t+I_s\frac{X_{be}}{\beta_f}=I_t=I_sX_{be}+I_s\frac{X_{be}}{\beta_f}=I_sX_{be}\frac{\beta_f+1}{\beta_f}

Il rapporto fra le correnti è fondamentale, in quanto motivo per cui vengono utilizzati i transistor

IC = βfIB

Mentre il coefficiente \alpha=\frac{\beta_f}{\beta_f+1} viene detto guadagno di base comune, poiché non dipende dalla base.

[modifica] Saturazione

In particolari condizioni, ovvero quando la tensione del Diodo superiore lo rende attivo, mentre il diodo inferiore è ancora attivo, si ha la cosiddetta saturazione. In questo caso si ha che

Vce = Vce - sat

[modifica] Doppi Bipoli

[modifica] Parte 2

[modifica] Regime dei piccoli Segnali

[modifica] Linearizzazione

[modifica] Doppi Bipoli

[modifica] Schema riassuntivo

  Emettitore comune Collettore comune Base comune
Av -\beta_0 {{R_L}\over{r_{be}}} \frac{(\beta_0+1)R_L}{r_{be}+(\beta_0+1)R_L} \beta_0 {{R_L}\over{r_{be}}}
Ai β0 − (β0 + 1) -\beta_0 \over{\beta_0+1}
Ri rbe rbe + (β0 + 1)RL r_{be}\over{\beta_0+1}
Ru rce (R_g+r{be})\over{\beta_0+1} r_{ce}(1+ \frac{\beta_0 R_g}{r_{be}R_g})+\frac{r_{be}R_g}{r_{be}+R_g}


[modifica] Riassunto

[modifica] Diodo

I_D=I_s \left( {e^{qV_D \over nkT}-1} \right)

con

  • ID intensità di corrente sul diodo;
  • VD differenza di potenziale tra i due terminali;
  • I0 intensità di corrente di saturazione, un fattore proporzionale che dipende dalle caratteristiche costruttive del diodo, direttamente proporzionale alla superficie della giunzione p-n, assumente quindi valori variabili tra i 10-10, quando le dimensioni del diodo sono grandi, ed i 10-15, quando le dimensioni del diodo sono piccole;
  • q carica elementare di 1 elettrone;
  • k Costante di Boltzmann;
  • T temperatura assoluta sulla superficie di giunzione tra la zone p ed n misurata in Kelvin;
  • n coefficiente di emissione, anch'esso dipendente dal processo di fabbricazione e spesso omesso perché approssimato a 1 (ma che potrebbe ipoteticamente variare fino a 2).

[modifica] Doppio Bipolo

\begin{bmatrix}
I_i\\
I_o
\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}
y_i & y_r\\
y_f & y_o
\end{bmatrix}\begin{bmatrix}
V_i\\
V_o
\end{bmatrix} :\begin{bmatrix}
V_i\\
V_o
\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}
z_i & z_r\\
z_f & z_o
\end{bmatrix}\begin{bmatrix}
I_i\\
I_o
\end{bmatrix}
\overline{z} \overline{y} \overline{h}
\overline{A_c} \frac{\overline{z}_f\overline{Z}_c}{\overline{D}_z+\overline{z}_i\overline{Z}_c} - \frac{\overline{y}_f}{\overline{y}_o+\overline{Y}_c} - \frac{\overline{h}_f}{\overline{D}_h+\overline{h}_i\overline{Y}_c}
\overline{A_i} - \frac{\overline{z}_f}{\overline{z}_o+\overline{Z}_c} \frac{\overline{y}_f\overline{Y}_c}{\overline{D}_y+\overline{y}_i\overline{Y}_c} \frac{\overline{h}_f}{1+\overline{h}_o\overline{Z}_c}
\overline{Z_i} ovvero \overline{Y_i}=\frac{1}{\overline{Z_i}} \overline{Z}_i=\overline{z_i}-\frac{\overline{z_r}\overline{z_f}}{\overline{z_o}+\overline{Z_c}} \overline{Y}_i=\overline{y_i}-\frac{\overline{y_r}\overline{y_f}}{\overline{y_o}+\overline{Y_c}} \overline{Z_i}=\overline{h_i}-\frac{\overline{h_r}\overline{h_f}}{\overline{h_o}+\overline{Y_c}}
\overline{Z_o} ovvero \overline{Y_o}=\frac{1}{\overline{Z_o}} \overline{Z}_o=\overline{z}_o-\frac{\overline{z}_r\overline{z}_f}{\overline{z}_i+\overline{Z}_g} \overline{Y_o}=\overline{y}_o-\frac{\overline{y}_r\overline{y}_f}{\overline{y}_i+\overline{Y}_g} \overline{Y_o}=\overline{h}_o-\frac{\overline{h}_r\overline{h}_f}{\overline{h}_i+\overline{Z}_g}
\frac{\overline{V_{uca}}}{\overline{V_g}} \frac{\overline{z_f}}{\overline{z_i}+\overline{Z_g}} - \frac{\overline{y_f}}{\overline{D_y}\overline{Z_g}+\overline{y_o}} - \frac {\overline{h_f}}{\overline{D_h}+\overline{h_o}\overline{Z_g}}
\frac{\overline{I_ucc}}{I_g} -\frac{\overline{z_f}}{\overline{D_z}\overline{Y_g}+\overline{z_o}} \frac {\overline{y_f}}{\overline{y_i}+\overline{Y_g}} \frac{\overline{h_f}}{\overline{h_i}\overline{Y_g}+1}
  • Av è detto guadagno di tensione
  • Ai è detto guadagno di corrente
  • Zi è detto Impedenza equivalente all'ingresso
  • Zo è detto impedenza equivalente all'uscita
  • Vuca è detto Tensione equivalente a circuito aperto, calcolata all'interno del bipolo secondo Thevenin
  • Iucc è detto Corrente equivalente a corrente chiuso, calcolata all'interno del bipolo secondo Norton

[modifica] Transistor

  • PNP: La corrente esce da Base ed Emettitore
  • NPN: La corrente entra da base e collettore
In generale:
I_B=I_s\frac{X_{be}}{\beta_f}+I_s\frac{X_{bc}}{\beta_r}
I_C=I_t-I_s\frac{X_{bc}}{\beta_r}
I_E=I_t+I_s\frac{X_{be}}{\beta_f}
It = Is(Xbe - Xbc)
X_{\alpha\beta}=e^{\frac{V_{\alpha\beta}}{V_T}}-1
Diodo Off
Vbe < Vγbe
Vbc < Vγbc
IE = IB = IC = I = 0
RND
Vbe > Vγbe
Vbc < Vγbc ==> Xbc = 0
I_B=I_s\frac{X_{be}}{\beta_f}
IC = IsXbe
I_E=I_sX_{be}\frac{\beta_f+1}{\beta_f}

[modifica] Note

  • VCCIC + ViIb - VEEIE = P Potenza dissipata da un transistor

[modifica] Transistor - Modello a doppi bipoli per i piccoli segnali

  Emettitore comune Collettore comune Base comune
Av -\beta_0 {{R_L}\over{r_{be}}} \frac{(\beta_0+1)R_L}{r_{be}+(\beta_0+1)R_L} \beta_0 {{R_L}\over{r_{be}}}
Ai β0 − (β0 + 1) -\beta_0 \over{\beta_0+1}
Ri rbe rbe + (β0 + 1)RL r_{be}\over{\beta_0+1}
Ru rce (R_g+r{be})\over{\beta_0+1} r_{ce}(1+ \frac{\beta_0 R_g}{r_{be}R_g})+\frac{r_{be}R_g}{r_{be}+R_g}

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