Differenze tra le versioni di "Elettronica pratica/CMOS"

Jump to navigation Jump to search
nessun oggetto della modifica
m (cambio avanzamento a 0%)
==CMOS==
 
"[[w:CMOS|CMOS]]" sta per "C"complementary "Metal"-"Oxide"-"S"emiconductor. Metal-Oxide-Semiconductor fa riferimento al metodo di costruzione del componente (tecnologia FET//Field Effect Transistor//transistore ad effetto campo), e Complementary significa che il CMOS usa enttrambi i transistori cioè sia il tipo n-MOS che il tipo p-MOS. I progetti più datati fanno ricorso solamente a transistori del tip n, e ci si riferisce a loro come [[w: Logiche n-MOS|Logiche n-MOS]].
 
I transistori ad effetto campo del tipo n-MOS sono attivi ( conducono) quando la loro tensione in entrata è alta, mentre quelli del tipo p-MOS sono attivi quando la loro tensione è bassa.
"[[w:CMOS|CMOS]]" sta per "C"complementary "Metal"-"Oxide"-"S"emiconductor. Semiconductor si riferisce al metodo di costruzione
 
Tutte le porte del tipo CMOS sono strutturate in due parti: la rete "pull-up" (PUN), strutturata con transistori del tipo "p" e connessa alla sorgente; e la rete "pull down" (PDN), costruita con transistori del tipo "n" e connessa a terra (pure chiamata scarico). Le due parti sono duali logicamente l'una dell'altra, cosicchè se la PUN è attiva, allora la PDN è inattiva, e viceversa. In questo modo non ci può essere mai un collegamento diretto tra la sorgente e la terra (in qualsiasi condizione stazionaria).
 
Il maggiore vantaggio del CMOS sul n-MOS è quello che Il CMOS ha una variazione rapida sia da "alto-a-basso" sia da "basso-a-alto". I' n-MOS transita da "basso-a-alto" solo lentamente, (poichè usa un resistore al posto di un PUN), e giacchè la velocità totale del circuito deve tenere conto del caso peggiore, i circuiti n-MOS risultano molto più lenti.
 
[[Categoria:Elettronica pratica|CMOS]]

Menu di navigazione