Elettronica pratica/CMOS: differenze tra le versioni

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I transistori ad effetto campo del tipo n-MOS sono attivi ( conducono) quando la loro tensione in entrata è alta, mentre quelli del tipo p-MOS sono attivi quando la loro tensione è bassa.
I transistori ad effetto campo del tipo n-MOS sono attivi ( conducono) quando la loro tensione in entrata è alta, mentre quelli del tipo p-MOS sono attivi quando la loro tensione è bassa.


Tutte le porte del tipo CMOS sono strutturate in due parti: la rete "pull-up" (PUN), strutturata con transistori del tipo "p" e connessa alla sorgente; e la rete "pull down" (PDN), costruita con transistori del tipo "n" e connessa a terra (pure chiamata scarico). Le due parti sono duali logicamente l'una dell'altra, cosicchè se la PUN è attiva, allora la PDN è inattiva, e viceversa. In questo modo non ci può essere mai un collegamento diretto tra la sorgente e la terra (in qualsiasi condizione stazionaria).
Tutte le porte del tipo CMOS sono strutturate in due parti: la rete "pull-up" (PUN), strutturata con transistori del tipo "p" e connessa alla sorgente; e la rete "pull down" (PDN), costruita con transistori del tipo "n" e connessa a terra (pure chiamata scarico). Le due parti sono duali logicamente l'una dell'altra, cosicché se la PUN è attiva, allora la PDN è inattiva, e viceversa. In questo modo non ci può essere mai un collegamento diretto tra la sorgente e la terra (in qualsiasi condizione stazionaria).


Il maggiore vantaggio del CMOS sul n-MOS è quello che Il CMOS ha una variazione rapida sia da "alto-a-basso" sia da "basso-a-alto". I' n-MOS transita da "basso-a-alto" solo lentamente, (poichè usa un resistore al posto di un PUN), e giacchè la velocità totale del circuito deve tenere conto del caso peggiore, i circuiti n-MOS risultano molto più lenti.
Il maggiore vantaggio del CMOS sul n-MOS è quello che Il CMOS ha una variazione rapida sia da "alto-a-basso" sia da "basso-a-alto". I' n-MOS transita da "basso-a-alto" solo lentamente, (poiché usa un resistore al posto di un PUN), e giacché la velocità totale del circuito deve tenere conto del caso peggiore, i circuiti n-MOS risultano molto più lenti.


[[Categoria:Elettronica pratica|CMOS]]
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Versione delle 12:47, 22 mar 2008

CMOS

"CMOS" sta per "C"complementary "Metal"-"Oxide"-"S"emiconductor. Metal-Oxide-Semiconductor fa riferimento al metodo di costruzione del componente (tecnologia FET//Field Effect Transistor//transistore ad effetto campo), e Complementary significa che il CMOS usa enttrambi i transistori cioè sia il tipo n-MOS che il tipo p-MOS. I progetti più datati fanno ricorso solamente a transistori del tip n, e ci si riferisce a loro come Logiche n-MOS.

I transistori ad effetto campo del tipo n-MOS sono attivi ( conducono) quando la loro tensione in entrata è alta, mentre quelli del tipo p-MOS sono attivi quando la loro tensione è bassa.

Tutte le porte del tipo CMOS sono strutturate in due parti: la rete "pull-up" (PUN), strutturata con transistori del tipo "p" e connessa alla sorgente; e la rete "pull down" (PDN), costruita con transistori del tipo "n" e connessa a terra (pure chiamata scarico). Le due parti sono duali logicamente l'una dell'altra, cosicché se la PUN è attiva, allora la PDN è inattiva, e viceversa. In questo modo non ci può essere mai un collegamento diretto tra la sorgente e la terra (in qualsiasi condizione stazionaria).

Il maggiore vantaggio del CMOS sul n-MOS è quello che Il CMOS ha una variazione rapida sia da "alto-a-basso" sia da "basso-a-alto". I' n-MOS transita da "basso-a-alto" solo lentamente, (poiché usa un resistore al posto di un PUN), e giacché la velocità totale del circuito deve tenere conto del caso peggiore, i circuiti n-MOS risultano molto più lenti.

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