Differenze tra le versioni di "Elettronica pratica/CMOS"

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I transistori ad effetto campo del tipo n-MOS sono attivi ( conducono) quando la loro tensione in entrata è alta, mentre quelli del tipo p-MOS sono attivi quando la loro tensione è bassa.
 
Tutte le porte del tipo CMOS sono strutturate in due parti: la rete "pull-up" (PUN), strutturata con transistori del tipo "p" e connessa alla sorgente; e la rete "pull down" (PDN), costruita con transistori del tipo "n" e connessa a terra (pure chiamata scarico). Le due parti sono duali logicamente l'una dell'altra, cosicchècosicché se la PUN è attiva, allora la PDN è inattiva, e viceversa. In questo modo non ci può essere mai un collegamento diretto tra la sorgente e la terra (in qualsiasi condizione stazionaria).
 
Il maggiore vantaggio del CMOS sul n-MOS è quello che Il CMOS ha una variazione rapida sia da "alto-a-basso" sia da "basso-a-alto". I' n-MOS transita da "basso-a-alto" solo lentamente, (poichèpoiché usa un resistore al posto di un PUN), e giacchègiacché la velocità totale del circuito deve tenere conto del caso peggiore, i circuiti n-MOS risultano molto più lenti.
 
[[Categoria:Elettronica pratica|CMOS]]
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