Elettronica/Transistor ad effetto di campo

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I transistor ad effetto di campo furono teorizzati per la prima volta nel 1959 da un celebre articolo di William Schokley, pochi anni dopo fu realizzato il primo Field Effect Transistor (FET). Questi dispositivi, rispetto ai loro cugini bipolari, sfruttano un principio abbastanza diverso. In pratica la struttura di base prevede di modulare la conducibilità di un canale conduttivo di portatori in un semiconduttore e far passare attraverso di esso la corrente da modulare. I vantaggi rispetto ai dispositivi bipolari sono notevoli, in primis la possibilità di ottenere dei dispositivi estremamente piccoli e poi il fatto che il canale sia un elemento semplicemente resistivo invece che non lineare come in un BJT. Senza l'avvento dei dispositivi ad effetto di campo oggi non esisterebbero i moderni circuiti integrati, i microprocessori e tutta l'elettronica digitale.

JFET[modifica]

MOSFET[modifica]

MESFET ed HEMT[modifica]