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Contributi di Anddab

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Utente con 32 modifiche. Utenza creata il 4 apr 2013.

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11:1211:12, 20 dic 2013 diff cron 0 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione con cannone elettronico Nessun oggetto della modifica

15:4115:41, 19 dic 2013 diff cron +2 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione con cannone elettronico Nessun oggetto della modifica
15:4115:41, 19 dic 2013 diff cron −2 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione con cannone elettronico Nessun oggetto della modifica

17:3117:31, 18 dic 2013 diff cron +1 m Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Evaporazione Nessun oggetto della modifica
16:4716:47, 18 dic 2013 diff cron −2 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Evaporazione Nessun oggetto della modifica
15:5415:54, 18 dic 2013 diff cron +40 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Evaporazione Nessun oggetto della modifica
15:5215:52, 18 dic 2013 diff cron −28 Template:Micro e nanotecnologia Nessun oggetto della modifica
15:5215:52, 18 dic 2013 diff cron −28 Template:Micro e nanotecnologia Nessun oggetto della modifica
15:5115:51, 18 dic 2013 diff cron +56 Template:Micro e nanotecnologia Nessun oggetto della modifica
15:2915:29, 18 dic 2013 diff cron +3 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering →Ion-beam sputtering

11:2211:22, 16 dic 2013 diff cron −1 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica a rf →Scarica ac
11:1211:12, 16 dic 2013 diff cron −8 861 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica a rf Nessun oggetto della modifica
10:0210:02, 16 dic 2013 diff cron −3 m Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica nei gas →Campi magnetici

17:4317:43, 11 dic 2013 diff cron −1 m Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Proprietà generali →Processi inversi
17:3117:31, 11 dic 2013 diff cron 0 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Proprietà generali →Processi inversi
17:1617:16, 11 dic 2013 diff cron −4 m Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Proprietà generali →Trasferimento di carica
17:1517:15, 11 dic 2013 diff cron +19 m Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Proprietà generali →Trasferimento di carica
16:5416:54, 11 dic 2013 diff cron +1 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Proprietà generali Nessun oggetto della modifica Etichetta: Modifica da mobile
16:2216:22, 11 dic 2013 diff cron +48 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Proprietà generali →Eccitazione: correzioni logiche

12:2812:28, 28 nov 2013 diff cron +26 m Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Planarizzazione →CMP (Chemical Mechanical Polishing): miglioramento nella comprensione della diff. tra le dimensioni delle particelle del slurry rispetto al processo di abrasione

11:2711:27, 27 nov 2013 diff cron +133 Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Dry Etching →Tecnologie a differenti densità di plasma: aggiunta del significato di "aspect ratio"

17:2517:25, 5 mag 2013 diff cron 0 m Fisica classica/Campi magnetici →Campi magnetici in generale

Estratto da "https://it.wikibooks.org/wiki/Speciale:Contributi/Anddab"