Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Ion milling

Micro e nanotecnologia

Copertina

Tutti i moduli · Sviluppo

Microtecnologia

• Introduzione alla microtecnologia
  • Il transistor e i dispositivi integrati
  • La legge di Moore
  • Microtecnologia: concetti di base
  • L'ambiente: la camera pulita
• Crescita dei cristalli
• Il vuoto
  • Le leggi del vuoto
  • Pompe da vuoto
  • Strumenti di misura per il vuoto
• Il plasma
  • Proprietà generali
  • Fisica del plasma
  • Scarica in dc
  • Scarica a rf
• Tecniche litografiche
  • Litografia ottica
  • Litografia elettronica
  • Litografia a raggi X
  • Litografia a fascio ionico
• Film sottili
  • Chemical Vapor Deposition (CVD)
  • Sputtering
  • Evaporazione
  • Deposizione con cannone elettronico
  • Molecular Beam Epitaxy (MBE)
  • Deposizione di film dielettrici
  • Film metallici
• Processi successivi
  • Ossidazione
  • Impiantazione ionica
  • Diffusione
  • Planarizzazione
• Etching
  • Wet etch
  • Attacco a secco
  • Reactive Ion Etching (RIE)
  • Sistemi ad alta densità di plasma
  • Ion milling
• Esempi
  • Dispositivi MOS e CMOS
  • Giunzioni Josephson
  • MEMS
  • Sensori di immagine
  • Memorie magnetiche
• Tecniche diagnostiche
  • Microscopia
  • Diffrazione a raggi X
  • Interazione con fasci di elettroni
    1. SEM
    2. TEM
  • Scanning probe
    1. STM
• Statistica per tecnologia

Nanotecnologia

• Introduzione alla nanotecnologia
  • Cenni storici
  • I due approcci: top-down, bottom-up
• Approccio top-down
  • Scansione a sonda (scanning probe)
  • Stampa (nanoprint)
• Approccio bottom-up
  • Self-organizzazione
    1. Film di Langmuir-Blodgett
    2. Self-assembled monolayers (SAM)
  • Strutture molecolari con carbonio
    1. Fullerene C60
    2. Nanotubi
    3. Nanofili (nanowire)
  1. AFM
  2. SNOM

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La tecnica dello ion milling si avvale delle seguenti caratteristiche :

• Scarica in plasma fra anodo e catodo
• Il campione da etchare è posto su un terzo elettrodo, disaccoppiato dal plasma
• Si usa gas Argon, a bassa pressione, per avere cammino libero medio lungo
• Un filamento produce elettroni, ionizza l'Ar, gli ioni vengono accelerati e sbattono sul campione (con energia dai 30 eV ai 10 keV)
• Utile per materiali refrattari, poco selettivo, altamente direzionale

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